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寒富苹果矮干高冠栽植法
专利权人:
李茂生;李光明
发明人:
李茂生,李光明
申请号:
CN201010523897.8
公开号:
CN101978818A
申请日:
2010.10.28
申请国别(地区):
中国
年份:
2011
代理人:
李枢
摘要:
寒富苹果矮干高冠栽植法,包括以下工艺步骤:1、建园时选择园址。2、整地。3、挖栽植沟:沟深0.8米,宽0.6-0.7米;挖穴深0.8米,1米直径圆形或方形均可,表土与心土分别堆放,不让土层混乱。4、整地时间最好在秋季或上冬前进行。5、栽植沟(穴)挖完之后,应往沟铺一层秸秆或杂草等枯枝乱叶,然后回填心土沉实,再回填表层土起畦,畦高于地面0.5-0.6米处栽植苹果苗木。本项发明的优点:这种栽植苹果树方法能提高苗木栽植后受光面积,提高阳光的利用率,增加地温,使苗木根系很快恢复愈合组织进行吸收营养。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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