YUN, Wenbing,LEWIS, Sylvia Jia Yun,KIRZ, Janos,LYON, Alan Francis
申请号：
USUS2014/063164
公开号：
WO2015/066333A1
申请日:
2014.10.30
申请国别(地区):
WO
年份:
2015
代理人:
摘要：
This application discloses an x-ray interferometric imaging system in which the x-ray source comprises a target having a plurality of structured coherent sub-sources of x-rays embedded in a thermally conducting substrate. The system additionally comprises a beam-splitting grating G1 that establishes a Talbot interference pattern, which may be a phase-shifting grating, and an x-ray detector to convert two-dimensional x-ray intensities into electronic signals. The system may comprise a second analyzer grating G2 that may be placed in front of the detector to form additional interference fringes, and a means to translate the second grating G2 relative to the detector. In some embodiments, the structures are microstructures with lateral dimensions measured in microns, and with a thickness on the order of one half of the electron penetration depth within the substrate. In some embodiments, the structures are formed within a regular array.La présente invention concerne un système dimagerie interférométrique à rayons X, dans lequel la source de rayons X comprend une cible ayant une pluralité de sous-sources cohérentes structurées de rayons X qui sont intégrées dans un substrat thermiquement conducteur. Le système comprend en outre une grille de division de faisceau G1 qui établit un modèle dinterférence de Talbot, qui peut être une grille de déphasage, et un détecteur de rayons X pour convertir des intensités bidimensionnelles de rayons X en signaux électroniques. Le système peut comprendre une seconde grille danalyseur G2 qui peut être placée devant le détecteur pour former des franges dinterférence supplémentaires, et un moyen pour déplacer en translation la seconde grille G2 par rapport au détecteur. Dans certains modes de réalisation, les structures sont des microstructures ayant des dimensions latérales mesurées en microns, et une épaisseur de lordre de la moitié de la profondeur de pénétration délectron dans le substrat. Dans certains modes de réalisation, les struct
