一种香芋高产栽培方法
- 专利权人:
- 蒋清校
- 发明人:
- 蒋清校
- 申请号：
- CN201510404748.2
- 公开号：
- CN104904490A
- 申请日:
- 2015.06.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 一种香芋高产栽培方法，包括以下步骤：(1)选种子；(2)育苗：(3)开坑：选用地势高、排灌方便，避风向阳，中性沙壤土相结合的地块.要求地下水位在3m以下，层厚度在20cm以上，土壤含有机质2％，全氮0.15％的沙质壤土为高产田，忌重茬，不宜在果园栽种或与蔬菜连作，以免受病虫为害，在冬季至种植前15～30天，在种植地起垄，起垄深度为20～40cm，晾晒土壤5～10天后，将使香芋顺着特定方向生长的定向坑道埋于垄低；(4)栽植：(5)回坑；(6)肥水管理：追肥苗期追肥宜淡，以腐熟粪肥为主；活棵后结合中耕培土每隔15～20d追肥1次。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
