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一种香芋高产栽培方法
专利权人:
傅美娜
发明人:
傅美娜,黄文星
申请号:
CN201510322605.7
公开号:
CN104982174A
申请日:
2015.06.14
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
摘要:
一种香芋高产栽培方法,包括以下步骤:(1)选种子;(2)育苗;(3)开坑:选用地势高、排灌方便,避风向阳,中性沙壤土相结合的地块,要求地下水位在3m以下,层厚度在20cm以上,土壤含有机质2%,全氮0.15%的沙质壤土为高产田,忌重茬,不宜在果园栽种或与蔬菜连作,以免受病虫为害,在冬季至种植前15~30天,在种植地起垄,起垄深度为20~40cm,晾晒土壤5~10天后,将使香芋顺着特定方向生长的定向坑道埋于垄低;(4)栽植;(5)回坑;(6)肥水管理;追肥苗期追肥宜淡,以腐熟粪肥为主;活棵后结合中耕培土每隔15~20d 追肥1 次。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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