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少なくとも三元のろう付け合金を使用するＣＮＴ集成体の基材へのろう付け接合方法並びに対応するろう付け材料及びそのような集成体を含むデバイス
- 专利权人:
- エーエムペーアー アイトゲネッシーシェ マテリアールプリューフングス− ウント フォルシュングスアンシュタルト
- 发明人:
- レミ、ロングティン,ハンス、ルドルフ、エルゼナー,クリスティアン、ライネンバッハ,フアン、ラモン、サンチェス−バレンシア
- 申请号：
- JP20160544743
- 公开号：
- JP2017501105(A)
- 申请日:
- 2014.09.18
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本出願は、炭素ナノチューブの部分的炭化物化により再現性のある制御された接合を示す、炭素ナノチューブ集成体（１）を基材（２）に接合する方法を記載する。この問題を解決するために、炭素ナノチューブ集成体（１）は、多量の銅及び少なくとも１ｗｔ％の量の少なくとも１種の炭化物を形成する元素を含む少なくとも三元の合金の形態にある活性ろう付け合金（３）を、基材（２）上で溶融しそれに続いて濡らして広げるステップ；炭素ナノチューブ集成体（１）と活性ろう付け合金（３）とを基材（２）上で接触させるステップ；続いて成分（１、２、３）を真空又は不活性ガス雰囲気中で、活性ろう付け合金（３）の固相線温度を超え且つ８００℃と９００℃の間の温度に加熱するステップを有する、活性ろう付けプロセスにより基材（２）に
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
