用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备
- 专利权人:
- 山东大学
- 发明人:
- 冀子武,郑雨军,赵雪琴,李炳生,徐现刚
- 申请号：
- CN200910020717.1
- 公开号：
- CN101538700B
- 申请日:
- 2009.04.21
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2010
- 代理人:
- 许德山
- 摘要：
- 用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱层、势垒层、势阱层、隔离层及覆盖层；使用的设备为双生长室分子束外延系统，包括III-V族和II-VI族两个生长室。每个均带有固体源蒸发器、五维可调样品架、四极质谱仪以及反射式高能电子衍射仪等；两生长室之间用超高真空传输管道连接以便样品的传送；超高真空传输管道备有抽气装置，且与两端所连接的两个生长室分别用插板阀隔开；样品架和固体源蒸发器都分别接有加热丝。本发明可用于光通信、量子信息存储和处理及半导体激光器等光电器件领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
