一种MOS晶体管NBTI效应R-D模型参数提取方法
- 专利权人:
- 华东师范大学
- 发明人:
- 李小进,王燕玲,曾严,石艳玲
- 申请号：
- CN201610082271.5
- 公开号：
- CN105760593A
- 申请日:
- 2016.02.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 董红曼
- 摘要：
- 本发明公开了一种MOS晶体管NBTI效应R‑D模型参数提取方法，包括如下步骤：线性变换确定拟合区间步骤：对测试数据的坐标系进行转换，并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间；粗略提取模型参数所在范围步骤：设置待拟合的模型参数，将R‑D模型的非线性曲线利用线性变换转化为线性曲线，将线性曲线按线性拟合后得到方程组，解方程组得到模型参数的第一组解；调整模型参数，再得到模型参数的第二组解；由参数的两组解确定每个参数的范围；精确提取步骤：利用遗传算法进行参数优化，确定目标函数，再由每个模型参数已经得到的范围设定约束条件，最后执行算法计算得到模型参数的精确值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
