一种Ga3+/PDA靶向协同抗菌纳米材料、其制备和应用
- 专利权人:
- 华中科技大学
- 发明人:
- 吕斌,戚俊峰,陈思怡
- 申请号：
- CN201911003433.1
- 公开号：
- CN110787186A
- 申请日:
- 2019.22.10
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明属于抗菌材料领域,更具体地,涉及一种Ga3+/PDA靶向协同抗菌纳米材料、其制备和应用。其通过在酸性条件下,将镓离子与PDA发生鳌合反应,然后在氧化剂存在条件下诱导鳌合了镓离子的多巴胺发生自聚反应,得到一种在狭窄的pH范围内(pH从7.4到6.5)即呈现明显的表面电荷反转,从而可在狭窄pH范围内控制Ga3+鳌合和解离、同时具有Ga3+和热杀菌的新型靶向协同抗菌纳米材料,由此解决现有技术利用镓离子的抗菌应用中存在的毒性问题以及易水解降低其生物利用率和抗菌效能的技术问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
