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高密度培养两歧双杆菌的化学去胁迫法
专利权人:
哈尔滨美华生物技术股份有限公司
发明人:
梁金钟,肖雯娟,林凤祥
申请号:
CN201910114816.X
公开号:
CN109593690A
申请日:
2019.14.02
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明提供了一种高密度培养两歧双歧杆菌的化学去胁迫法,包括以下步骤:a.配制两歧双歧杆菌的培养基;b.步骤(a)配制的培养基中添加抗氧化剂,并进行灭菌处理;c.接种;d.培养过程中继续补加抗氧化剂;e.培养结束后,采用平板计数法进行活菌计数。所述步骤(b)中的抗氧化剂为异抗坏血酸钠,所述步骤(d)中的抗氧化剂为抗坏血酸钠。本发明提供的化学去胁迫法能够提升两歧双歧杆菌的培养密度,提升益生菌的培养效率,节约生产空间和成本。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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