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Ultrasonic probe and manufacturing method thereof
专利权人:
株式会社日立製作所
发明人:
峰 利之,町田 俊太郎
申请号:
JP2018501015
公开号:
JPWO2017145514A1
申请日:
2016.12.26
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
The cavity portion 103 is formed between the substrate 301, the lower electrode 102 formed on the substrate 301, the lower insulating film 303 formed on the lower electrode 102, and the lower insulating film 303. And the upper electrode 105 formed on the upper insulating film 305. The cavity 103 overlaps the lower electrode 102. The upper electrode 105 includes the cavity 103 and the lower electrode 102. And the upper insulating film 305 is an insulating film having a leakage current larger than that of the lower insulating film 303.基板301と、基板301上に形成された下部電極102と、下部電極102上に形成された下層絶縁膜303と、下層絶縁膜303上に形成され、下層絶縁膜303との間に空洞部103を形成する上層絶縁膜305と、上層絶縁膜305上に形成された上部電極105と、を有し、空洞部103は、下部電極102と重なり、上部電極105は、空洞部103および下部電極102と重なり、上層絶縁膜305は、下層絶縁膜303よりもリーク電流の大きい絶縁膜とした超音波探触子。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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