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一种高亮度氮化镓基发光二极管外延生长方法
- 专利权人:
- 合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 发明人:
- 郭丽彬,李刚,吴礼清,蒋利民
- 申请号：
- CN201410001948.9
- 公开号：
- CN103700745A
- 申请日:
- 2014.01.03
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种高亮度氮化镓基发光二极管外延生长方法，其生长方法包括以下步骤：通过在高温生长P层GaN层的过程中，分为2层进行生长：高温P层氮化镓层（Hp-1）及高温P层氮化镓层（Hp-2）。本发明通过在高温P层氮化镓中，Mg掺杂采用非均匀生长，同时在Mg非均匀掺杂生长过程中包含In元素掺杂，该种优化的低In组分条件下的非均匀Mg掺杂的生长方法，可以减少补偿效应，提高载流子浓度，能有效抑制P-GaN位错的形成，提高晶体质量，提高器件的使用寿命；同时，Mg在InGaN材料中的电离能比在GaN中低，可以获得较高的空穴浓度，提高辐射发光效率，从而可以获得高亮度发光二极管。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
