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一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法
- 专利权人:
- 合肥彩虹蓝光科技有限公司
- 发明人:
- 唐军
- 申请号：
- CN201410090582.7
- 公开号：
- CN103824909A
- 申请日:
- 2014.03.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种提高LED发光亮度的方法，其LED外延片结构从下向上的顺序依次为:蓝宝石衬底、低温成核层、高温GaN缓冲层、高温非掺杂GaN缓冲层、复合n型GaN层、复合浅量子阱结构SW、多量子阱发光层结构MQW、低温p型GaN层、p型AlGaN层、高温p型GaN层、p型GaN接触层,；2）控制V型缺陷密度及深度的外延结构：复合浅量子阱分为前后两个结构，前浅量子阱SW采用窄阱宽垒结构，生长2-6周期；后浅量子阱SW采用窄阱窄垒结构，生长5-20周期；发光层量子阱采用窄阱窄垒结构，生长5-12周期，其中量子阱层的厚度在2-5nm之间，垒层厚度在8-15nm之间。本发明可以有效控制V型缺陷的密度及深度，从而提高空穴载流子注入发光层量子阱的效率，提高发光层多量子阱的内量子效率。使用本发明外延工艺后生产14*28mil芯片的亮度测试平均值LOP=62.3mW@454.0nm。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
