离子发生器
- 专利权人:
- LG电子株式会社
- 发明人:
- 成奉祚,张在洙,李俊雨,孙一娜,吴定根
- 申请号：
- CN201380051691.1
- 公开号：
- CN104703632A
- 申请日:
- 2013.09.24
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种离子发生器。在本发明的一个实施例中，基底的至少一个表面上形成有非平坦表面，形成有用于产生正离子和/或负离子的至少一个电极，以及光催化剂可被涂覆在非平坦表面的顶部。形成有电极的表面与形成非平坦表面的表面相对，而且两个或更多个基底可沿直线设置成使得电极和非平坦表面彼此面对且其间具有空隙。根据另一个实施例的离子发生器包括：立体基底，呈多角柱形，其中彼此相对的多个平整多角平面是开放的；电极部，包括至少一个电极，其形成在构成多角柱的柱表面的至少一部分的内部上，以产生正离子和/或负离子；以及涂层部，其是涂敷有光催化剂的表面，该表面在形成电极部的柱表面的相对表面上。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
