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烤烟半膜覆盖栽培方法
- 专利权人:
- 贵州省烟草科学研究院
- 发明人:
- 潘文杰,高维常,陈伟,陈懿,李继新,梁贵林,邱雪柏,林叶春,廖成松
- 申请号：
- CN201310068318.9
- 公开号：
- CN103081710B
- 申请日:
- 2013.03.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 赵彦栋
- 摘要：
- 本发明公开了一种烤烟半膜覆盖栽培方法，该方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄的肩部地膜边缘开种植孔进行烟苗栽培。本发明的优点是：（1）烤烟实施一垄双行，实现了宽窄行移栽，利于烤烟后期田间通风透光，提高烟叶品质。（2）烤烟中后期生长过程中，根系处于膜内和膜外两个部位，综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点，利于烤烟正常生长。（3）地膜边缘与底肥相连，烟株根系与地膜、底肥靠近而接触，有利于降雨顺膜流入根系周围，溶解了肥料，滋润了烟株根系，提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。（4）因地膜边缘与烟株茎基部相邻，站在垄上揭膜，保证地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
