OXYDE DE ZINC ENDUIT D'OXYDE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, COMPOSITION CONTENANT DE L'OXYDE DE ZINC ENDUIT D'OXYDE DE SILICIUM, ET PRODUIT COSMÉTIQUE
Provided are a silicon-oxide-coated zinc oxide in which it is possible to minimize elution of zinc ions from zinc oxide particles, a method for manufacturing the same, a silicon-oxide-coated-zinc-oxide-containing composition, and a cosmetic. Such a silicon-oxide-coated zinc oxide is obtained by coating the surface of zinc oxide particles with a silicon oxide coating, and is characterized in that: the average grain diameter of the zinc oxide particles is 1 to 50 nm； when the abundance ratio of silicon in the silicon oxide coating in a Q3 environment is Q3 and in a Q4 environment is Q4, Q3+Q4 ≥ 0.6 and Q4/Q3+Q4 ≥ 0.5； and the decomposition rate of Brilliant Blue generated by the photocatalytic activity of the zinc oxide particles is 3% or less.La présente invention concerne un oxyde de zinc enduit d'oxyde de silicium dans lequel il est possible de minimiser l'élution des ions zinc hors des particules d'oxyde de zinc, son procédé de fabrication, une composition contenant ledit oxyde de zinc enduit d'oxyde de silicium et un produit cosmétique. Un tel oxyde de zinc enduit d'oxyde de silicium est obtenu en enduisant la surface de particules d'oxyde de zinc avec un revêtement d'oxyde de silicium, et celui-ci est caractérisé en ce que : le diamètre moyen des grains de particules d'oxyde de zinc est situé dans la plage allant de 1 à 50 nm ； lorsque le rapport des teneurs isotopiques du silicium dans le revêtement d'oxyde de silicium dans un environnement Q3 est désigné par Q3 et dans un environnement Q4 est désigné par Q4, Q3+Q4 ≥ 0,6 et Q4/Q3+Q4 ≥ 0,5 ； et le taux de décomposition du bleu brillant produit par le biais de l'activité photocatalytique des particules d'oxyde de zinc est inférieur ou égal à 3 %.酸化亜鉛粒子からの亜鉛イオンの溶出を抑制することが可能な酸化ケイ素被覆酸化亜鉛とその製造方法及び酸化ケイ素被覆酸化亜鉛含有組成物並びに化粧料が提供される。そのような酸化ケイ素被覆酸化亜鉛は、酸化亜鉛粒子の表面を酸化ケイ素被膜により被覆してなる酸化ケイ素被覆酸化亜鉛であって、前記酸化亜鉛粒子の平均粒子径は１ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下であり、前記酸化ケイ素被膜中のケイ素のＱ３環境における存在比をＱ３、Ｑ４環境における存在比をＱ４としたとき、Ｑ３＋Ｑ４≧０．６かつＱ４／（Ｑ３＋Ｑ４）≧０．５であるもの、または、さらにこの酸化亜鉛粒子の光触媒活性に
