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一种高通量植入式柔性神经电极的制备方法及其结构
- 专利权人:
- 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 发明人:
- 周志涛,陶虎,杨会然,魏晓玲
- 申请号：
- CN202010860818.6
- 公开号：
- CN112107307A
- 申请日:
- 2020.08.24
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本申请实施例所公开的高通量植入式柔性神经电极的制备方法及其结构，方法包括制备衬底及在衬底上制备多个电极区组，每个电极区组含有第一电极区、第二电极区和第三电极区，每个电极区含有第一预设数量的电极，在衬底的多个待制备区域上制备第一绝缘层，在第一电极区上制备第一金属布线层，在第一金属布线层上制备第二绝缘层，在第二电极区上制备第二金属布线层，在第二绝缘层和第二金属布线层上制备第三绝缘层，在第三电极区上制备第三金属布线层，在第二绝缘层、第三绝缘层和第三金属布线层上制备第四绝缘层，沿释放面剥离衬底，得到单一神经电极单元，将第二预设数量的单一神经电极单元与电路板连接，得到高通量植入式柔性神经电极。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
