高粱二比空多株密植栽培方法
- 专利权人:
- 宫力臣
- 发明人:
- 宫力臣
- 申请号：
- CN201710712999.6
- 公开号：
- CN107318451A
- 申请日:
- 2017.08.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 刘峰
- 摘要：
- 本发明公开了一种高粱二比空多株密植栽培方法，它由如下步骤构成：A、选择良种，选择株型紧凑耐密植、矮秆、抗倒伏、抗病虫害，且生育期适宜优良杂交高粱品种；B、精细整地，C、提高播种质量，播种株行距为窄行行距为40‑50 cm，宽行行距为80‑100 cm，即种二垄空一垄，每穴双株或三株，双株穴距为20－26 cm，三株穴距25‑35 cm，亩留苗8800－13300株；D、加强田间管理，E、科学施肥，F、防治病虫害，G、适时收割。本种植模式每亩比普通种植技术多种植4500株左右，单位面积产量大幅增加，因每隔两垄空一垄，能够充分利用边行优势，达到最大程度的通风透光效果，而且出入方便，便于田间管理。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
