Aspects of the technology described herein relate to an ultrasound device including a first die that includes an ultrasonic transducer, a first application-specific integrated circuit (ASIC) that is bonded to the first die and includes a pulser, and a second ASIC in communication with the second ASIC that includes integrated digital receive circuitry. In some embodiments, the first ASIC may be bonded to the second ASIC and the second ASIC may include analog processing circuitry and an analog-to-digital converter. In such embodiments, the second ASIC may include a through-silicon via (TSV) facilitating communication between the first ASIC and the second ASIC. In some embodiments, SERDES circuitry facilitates communication between the first ASIC and the second ASIC and the first ASIC includes analog processing circuitry and an analog-to-digital converter. In some embodiments, the technology node of the first ASIC is different from the technology node of the second ASIC.Des aspects de la technologie de la présente invention concernent un dispositif ultrasonore comprenant une première puce qui comprend un transducteur ultrasonore, un premier circuit intégré spécifique à une application (ASIC) qui est lié à la première puce et comprend un générateur d'impulsions, et un second ASIC en communication avec le second ASIC qui comprend un circuit de réception numérique intégré. Dans certains modes de réalisation, le premier ASIC peut être lié au second ASIC et le second ASIC peut comprendre un circuit de traitement analogique et un convertisseur analogique-numérique. Dans de tels modes de réalisation, le second ASIC peut comprendre une interconnexion verticale (TSV) facilitant la communication entre le premier ASIC et le second ASIC. Dans certains modes de réalisation, un circuit SERDES facilite la communication entre le premier ASIC et le second ASIC et le premier ASIC comprend un circuit de traitement analogique et un convertisseur analogique-numérique. Dans certains modes d
