宽带低电场增强反射金属介电光栅
- 专利权人:
- 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 发明人:
- 周常河,胡安铎
- 申请号：
- CN201110138942.2
- 公开号：
- CN102193126B
- 申请日:
- 2011.05.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 张泽纯
- 摘要：
- 一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅，其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜层、金膜层和熔融石英层，在熔融石英层上刻蚀矩形槽光栅，该光栅的周期为558～567纳米，占空比为0.15～0.25，刻蚀深度为620～622纳米，连接层厚度为488～492纳米。本发明在TE偏振光以76～78度角入射时，可以实现80纳米波长带宽内(1010～1090纳米)光栅内部最大电场电场强度增强低于2，至少20纳米波长带宽内(1040～1060纳米)-1级衍射效率高于90％。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
