Certain embodiments of the present technology relate to temperature sensors for using in an implantable medical device, and methods for use therewith. Such a method can include alternating between producing a first base-to-emitter voltage drop (VBE1) and a second base-to-emitter voltage drop (VBE2), and alternating between using a capacitor to store the VBE1, which is complimentary to absolute temperature (CTAT), and using the same capacitor to store a ΔVBE=VBE2-VBE1, which is proportion to absolute temperature (PTAT). The method also includes using a sigma-delta modulator that includes the capacitor to produce a signal having a duty cycle (dc) indicative of the ΔVBE stored using the capacitor, and producing a temperature measurement based on the signal having the duty cycle (dc) indicative of the ΔVBE.Certains modes de réalisation de la présente technologie concernent des capteurs de température destinés à être utilisés dans un dispositif médical implantable, et des procédés destinés à être utilisés avec ces derniers. Un tel procédé peut consister à alterner entre la production d'une première chute de tension de base à émetteur (VBE1) et d'une seconde chute de tension de base à émetteur (VBE2), et à alterner entre l'utilisation d'un condensateur pour stocker la VBE1, qui est complémentaire de la température absolue (CTAT), et l'utilisation du même condensateur pour stocker un ΔVBE = VBE2-VBE1, qui est proportionnel à la température absolue (PTAT). Le procédé comprend également l'utilisation d'un modulateur sigma-delta qui comprend le condensateur pour produire un signal ayant un rapport cyclique (dc) représentatif du ΔVBE stockée à l'aide du condensateur, et la production d'une mesure de température sur la base du signal ayant le rapport cyclique (dc) représentatif du ΔVBE.
