一种旱地甘薯栽培方法
- 专利权人:
- 吴太平
- 发明人:
- 吴太平
- 申请号：
- CN201110426707.5
- 公开号：
- CN102487714A
- 申请日:
- 2011.12.19
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 卢茂春
- 摘要：
- 一种旱地甘薯栽培方法，秋后立冬前选择日均气温在3℃以上的时间，深耕25厘米；划行0.8米为一种植带，在划行的地表撒草木灰肥5公斤|亩或50%硫酸钾20公斤|亩，挖沟起垄，起半圆形高垄，垄沟的沟底宽度是0.2米，高垄的高度是0.3米，高垄的底宽是0.6米，高垄的顶宽是0.5米，用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于四月中下旬或五月上旬在覆盖好的垄膜上两边部用直径1.5厘米，长0.2米的尖头棒等距离扎孔，等株距是0.2米栽种育好的甘薯苗，亩栽5500株。本发明比常规种植可节约劳力50%，提高产量一倍。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
