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一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法
专利权人:
吴太平
发明人:
吴太平
申请号:
CN201110426706.0
公开号:
CN102487713A
申请日:
2011.12.19
申请国别(地区):
中国
年份:
2012
代理人:
卢茂春
摘要:
一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法,其步骤是秋后立冬前深耕25厘米;春3月中下旬用划行器划沟;沟内的两边洒草木灰或硫酸钾,沟内的中间洒硝酸磷肥;按80厘米宽为一种植带,每种植带挖20厘米宽沟,将土起垄60厘米的两边成“M”型,沟底至垄高30厘米;用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖;于4月15日前后,按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜,亩种1200株;于4月下旬至5月上旬,在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1.5厘米,深20厘米插甘薯苗,茶壶浇水盖土、亩栽5500株。本发明可节省三分之二的管理用工,且产量效益各增加80-120%。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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