Polishing slurry and polishing material using same

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专利权人:

Akinori Etoh

发明人:

Akinori Etoh,Setsuko Oike,Tomokazu Ishizuka,Shigeharu Fujii,Kiyotaka Shindo

申请号：

US11918226

公开号：

US08460414B2

申请日:

2006.04.14

申请国别(地区):

US

年份:

2013

代理人:

摘要：

Disclosed is a polishing slurry which enables to suppress damages to an under layer while securing an adequate polishing rate. The polishing slurry contains a resin (A) having an amide group and an organic resin (B).

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/