The configuration of the present invention, the active matrix substrate 4, an amorphous selenium layer 1, the high-resistance layer 3, a gold electrode layer 2, the insulating layer 5, the auxiliary plate 6 are laminated in this order. Without causing accumulation of charges on the auxiliary plate 6, the purpose of the amorphous semiconductor layer and to provide a radiation detector that prevents pinhole formation and voiding of the high-resistance film 3 of the carrier selectivity, the first embodiment, the insulating layer 5 inorganic anion exchanger is added. Inorganic anion exchanger, since the adsorption of chloride ions of 5 in the insulating layer, it is possible to prevent the destruction of the X-ray detector 10 due to the chloride ions are attracted to the gold electrode layer 2.本発明の構成は、アクティブマトリックス基板4,アモルファスセレン層1,高抵抗層3,金電極層2,絶縁層5,補助板6とがこの順に積層されている。補助板6に電荷を蓄積させることなく、アモルファス半導体層およびキャリア選択性の高抵抗膜3のボイド形成およびピンホール形成を防ぐ放射線検出器を提供する目的で、実施例1は、絶縁層5には無機陰イオン交換体が添加されている。無機陰イオン交換体は、絶縁層5中の塩化物イオンを吸着するので、塩化物イオンが金電極層2に引き寄せられることに起因したX線検出器10の破壊を防ぐことができる。
