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一种生长藏红花无菌苗的方法
专利权人:
中国科学院过程工程研究所
发明人:
王玉春,陈书安,赵兵,王晓东
申请号:
CN03142559.3
公开号:
CN1230066C
申请日:
2003.06.11
申请国别(地区):
中国
年份:
2005
代理人:
王凤华
摘要:
本发明涉及一种生长藏红花无菌苗的方法。该方法利用稀土元素对藏红花细胞生长和分化的影响,将藏红花的愈伤组织接种到含有稀土元素、细胞分裂素和细胞生长素的植物细胞培养基上培养;将得到的愈伤组织再一次接种到含有稀土元素、细胞分裂素和细胞生长素的植物细胞培养基上培养,得到藏红花的体胚或胚性愈伤组织;最后将体胚或胚性愈伤组织再一次接种到含有稀土元素的植物细胞培养基上培养,得到藏红花无菌苗。本方法可在较短的时间内促进藏红花细胞形成胚性愈伤组织和体胚,并分化成大量的无菌苗,解决了藏红花种植过程中种源少,易感染病原菌的问题,从而达到解决藏红花资源短缺的问题。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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