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稀土元素促进藏红花细胞生长和提高藏红花素含量的方法
专利权人:
中国科学院过程工程研究所
发明人:
王玉春,陈书安,王晓东,赵兵,袁晓凡
申请号:
CN03146096.8
公开号:
CN1238494C
申请日:
2003.07.22
申请国别(地区):
中国
年份:
2006
代理人:
王凤华
摘要:
本发明涉及一种应用稀土元素促进藏红花细胞生长和提高藏红花素含量的方法。该方法将藏红花的愈伤组织接种到含有稀土元素、细胞分裂素和细胞生长素的植物细胞培养基上,于15~30℃下培养15~30天;将得到的愈伤组织再一次接种到含有稀土元素、细胞分裂素和细胞生长素的植物细胞培养基上,于15~30℃下培养15~50天。使用本方法促进了藏红花细胞生长,在相同的培养时间,可以比已有技术获得更多的藏红花细胞的生物量,藏红花素含量也显著提高,而且得到的藏红花素不容易褐化。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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