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一种高稳定的自连结MXene纳米片及其制备方法和应用
专利权人:
中国科学院深圳先进技术研究院
发明人:
都展宏,沙葆凝,赵生卓,程宇航,顾敏铃,毕国强,王立平
申请号:
CN202180009669.5
公开号:
CN115135351B
申请日:
2021.12.14
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本发明提供了一种高稳定的自连结MXene纳米片及其制备方法和应用,具体提供了一种表面改性的MXene纳米片,所述MXene纳米片中具有Na离子和磺酸插层,同时表面还具有聚多巴胺层和聚乙烯二氧噻吩层;所述聚多巴胺层和聚乙烯二氧噻吩层依次设置;具体地,先在具有Na离子和磺酸插层的MXene纳米片表面聚合聚多巴胺层,然后再原位聚合聚乙烯二氧噻吩层。本发明的MXene纳米片各种修饰之间相互作用,同时强化了MXene纳米片在生物体内的物理化学稳定性、成膜能力、生物相容性等多种性质,因此其能够作为电极修饰材料、外周神经的细胞修复材料、神经电极的导线、中枢神经电极的位点等。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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