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具有增强型褶皱微结构的柔性脑机接口电极及制备方法
- 专利权人:
- 上海交通大学
- 发明人:
- 刘景全,吉博文,王明浩,郭哲俊,王隆春,杨斌,王晓林
- 申请号：
- CN201910311400.7
- 公开号：
- CN110115581A
- 申请日:
- 2019.18.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种具有增强型褶皱微结构的柔性脑机接口电极及制备方法,电极包括:基底,在所述基底上方设置弹性聚合物薄膜形成弹性聚合物基底,所述弹性聚合物薄膜中掺入硅油,在所述弹性聚合物基底上沉积第一层聚合物薄膜,通过沉积所述第一层聚合物薄膜作为绝缘层,褶皱自发生成。本发明相比于未经过硅油处理的弹性聚合物基底,褶皱幅值明显增大,比表面积显著提高;制备方法与微机电系统工艺兼容性强,获得的增强型褶皱在后续图形化电极层和聚合物封装层过程中,形貌始终保持不变;可以有效提高电镀电极改性材料和电极界面的结合力,保证稳定可靠的电化学性能,因此本发明在微型柔性电生理传感器尤其是脑机接口电极领域存在广泛的应用价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
