基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂及其制备方法和应用

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专利权人:

辽宁大学

发明人:

马雪,王春权,王国伟,宋有涛,王君

申请号：

CN201810106907.4

公开号：

CN108126713A

申请日:

2018.02.02

申请国别(地区):

中国

年份:

2018

代理人:

金春华

摘要：

本发明涉及基于极窄带半导体为固体导电通道的光催化剂及其制备方法和应用。通过溶胶水热和煅烧方法制备，在Er³⁺：Y₃Al₅O₁₂@NiGa₂O₄和Bi₂Sn₂O₇之间插入一个极窄带隙半导体CoS₂，形成了一个新型的Z型光催化体系。制备的光催化剂的光催化活性通过在模拟太阳光照射下对亚硝酸盐和亚硫酸盐的转化来评估。结果表明，所制备的Er³⁺:Y₃Al₅O₁₂@NiGa₂O₄/CoS₂/Bi₂Sn₂O₇复合材料在亚硝酸盐和亚硫酸盐转化过程中表现出了高度稳定的光催化活性。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/