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流体投与装置の表面処理方法
专利权人:
アプター フランス エスアーエス
发明人:
サラク ザカリア,ブサルド ドゥニ,ゲーナレック フレデリック
申请号:
JP2013517463
公开号:
JP2013532037A
申请日:
2011.07.01
申请国别(地区):
JP
年份:
2013
代理人:
摘要:
A surface treatment method of a fluid delivery device, out of the fluid delivery device, the process of changing by ion implantation using an ion beam of a multi-energy and multiply-charged, the processed surface of one or more of the portion in contact with the fluid at least The processing target surface after consists, it was varied, has a characteristic that does not adhere to the fluid, the multiply charged ions are selected from helium, nitrogen, oxygen, neon, argon, krypton, xenon, surface treatment method that ion implantation is carried out to a depth of 3μm from 0μm. [Selection Figure Figure 3流体投与装置の表面処理方法であって、前記流体投与装置のうち、少なくとも流体と接触する部分の1以上の処理対象表面を、多重荷電かつ多重エネルギのイオンビームを用いたイオン注入によって変化させる処理から成り、変化させられた後の前記処理対象表面は、前記流体を付着させない特性を有し、前記多重荷電イオンは、ヘリウム、窒素、酸素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンの中から選択され、イオン注入は0μmから3μmの深さまで実施される、という表面処理方法。【選択図】図3
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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