A crystalline form of the compound of formula I, wherein its x-ray powder diffraction pattern has characteristic peaks at 2θ diffraction angles of 8.6 ° ± 0.2 °； 16.5 ° ± 0.2 ° and 26.5 ° ± 0.2 °, where the positions of the diffraction peaks are calibrated using monocrystalline silicon that has a 2-theta (2θ) value of 28.443 degrees and where Copper (Cu) target X-ray tube K-alpha radiation was used as the source. ** (See formula) **Una forma cristalina del compuesto de fórmula I, en donde su patrón de difracción de polvo de rayos x tiene picos característicos a ángulos de difracción 2θ de 8,6° ± 0,2°； 16,5° ± 0,2° y 26,5° ± 0,2°, en donde las posiciones de los picos de difracción se calibran mediante silicio monocristalino que tiene un valor 2-theta (2θ) de 28,443 grados y en donde se usó radiación K-alfa de tubo de rayos X de diana de cobre (Cu) como fuente. **(Ver fórmula)**
