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一种具有多环境适应性的薄膜材料的制备技术
专利权人:
中国科学院兰州化学物理研究所
发明人:
陈建敏,吴艳霞,吉利,李红轩,冶银平,周惠娣
申请号:
CN201310273979.5
公开号:
CN104278241A
申请日:
2013.07.02
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
方晓佳
摘要:
本发明公开一种具有多环境适应性的二硫化钼/含氢非晶碳多层薄膜材料的制备技术。采用MoS2/a-C:H多层结构的设计,并利用反应非平衡磁控溅射技术制备。制备方法简便,而且制备的薄膜结构致密,避免了贯穿膜层的空洞缺陷;同时硬质a-C:H膜层提高了薄膜的承载能力,软质MoS2膜层提高了薄膜的润滑性能,从而提高了薄膜的多环境适应性。MoS2/a-C:H多层薄膜在真空、空气、氮气环境中均具有良好的摩擦学性能,可以用作空间润滑材料在载人航天飞船、星际探测器、人造卫星等众多领域得到应用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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