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在假体器件上形成整料纳米结构
专利权人:
丹麦科技大学
发明人:
欧亦宇,P·M·彼得森
申请号:
CN202180038557.2
公开号:
CN115768495A
申请日:
2021.05.27
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本公开涉及一种用于在可植入器件上形成整料纳米结构的方法,该方法包括:a.将金属膜沉积到可植入器件的表面;b.将金属膜加热一段时间,使得金属膜转变成多个离散的纳米颗粒,该多个纳米颗粒由此在所述可植入器件的表面上形成蚀刻掩模;c.蚀刻所述可植入器件,使得所述可植入器件的表面通过所述蚀刻掩模被蚀刻,从而在所述可植入器件的表面上形成整料纳米结构;和d.(任选地)去除所述蚀刻掩模,例如通过浸入王水溶液中。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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