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硫辛酸功能化的介孔氧化硅纳米材料及其制备方法与应用
专利权人:
首都医科大学
发明人:
房晨婕,孙爱玲
申请号:
CN201910433337.4
公开号:
CN110217801A
申请日:
2019.23.05
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明提供一种硫辛酸功能化的介孔氧化硅纳米材料及其制备方法与应用。本发明选用硫辛酸在介孔氧化硅材料表面进行抗氧化修饰,将硫辛酸通过酰胺化反应共价修饰到介孔氧化硅的表面,可有效降低介孔氧化硅材料作为药物载体对于生物体的毒性作用,并进一步提高其生物相容性。研究表明,硫辛酸修饰介孔氧化硅纳米材料对小鼠大脑神经具有保护作用,有效降低了静脉注射介孔氧化硅材料后引起的小鼠社交能力和认知功能的异常,从而降低介孔硅的神经毒性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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