タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜

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专利权人:

ＪＸ金属株式会社

发明人:

大橋 一允,岡部 岳夫

申请号：

JP20160025489

公开号：

JP6084718(B2)

申请日:

2016.02.15

申请国别(地区):

日本

年份:

2017

代理人:

摘要：

Provided is a tungsten sintered compact sputtering target, wherein the purity of the tungsten is 5N (99.999%) or more, and the content of impurity carbon in the tungsten is 5 wtppm or less. An object of the present invention is to decrease the specific resistance of a tungsten film sputter-deposited by using a tungsten sintered compact sputtering target by reducing a carbon content in the tungsten target.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/