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基于ALD技术在医疗器械上制备氧化层的节能型方法
- 专利权人:
- 天津丰茂科技有限公司
- 发明人:
- 徐福春
- 申请号：
- CN201611144058.9
- 公开号：
- CN106581782A
- 申请日:
- 2016.12.13
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 基于ALD技术在医疗器械上制备氧化层的节能型方法，该方法包括以下具体步骤：S1：清洗干燥；S2：氧化物选择；S3：通入气体；S4：厚度选择；S5：固化操作；S6：抗菌处理，该发明通过原子层沉积技术，将气相交替的通入反应器病在沉积的医疗器械的表面上发生化学反应来形成薄膜的一种方法，该方法可以在植入型合金医疗器械的表面制得100‑200nm厚度的氧化层，具有很好的稳定性和致密性，改变原有植入型医疗器械的粘附性、生物相容性和血液相容性，避免植入型医疗器械在体内环境以及支架的扩张过程中出现高分子载药层的脱落和开裂的现象，和不可降解的高分子材料，对人体的技能也会造成的影响引起新的医疗问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
