在碳纳米囊中原位空间限制生长二维MoS2纳米片
- 专利权人:
- 上海交通大学;马鞍山经济技术开发区建设投资有限公司
- 发明人:
- 赵斌元,王礼建,宁月生,赖奕坚,王垒,周洁
- 申请号：
- CN202010487695.6
- 公开号：
- CN111498831A
- 申请日:
- 2020.06.02
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种在碳纳米囊中原位空间限制生长二维MoS2纳米片。其制备方法包括将SiO2作为模板获得不同形貌的碳纳米囊(HCNC)，然后通过真空初湿浸渍法将硫代钼酸铵溶液浸渍到碳纳米囊中，通过煅烧制得MoS2@HCNC。本方法制备的MoS2@HCNC尺寸均匀、形貌稳定、比表面积高、高氮和高氧载量以及较高的电导率，HCNC内部的MoS2纳米片尺寸较小、层数较少。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
