Provided is a method of inspecting a pressure pulse wave sensor with which it is possible to understand the impact that changes in the usage environment have on pressure pulse wave detection accuracy. A sensor chip (10) including a semiconductor substrate (10A) in which a pressure-sensitive element row (10D) is formed in a part of the sensor chip (10) the thickness of which has been reduced by means of a recessed portion (10a), and terminal portions (10B, 10C) which are electrically connected to the pressure-sensitive element row (10D) is adhesively secured to a substrate (11) in such a way that the recessed portion (10a) communicates with the atmosphere only by means of a through-hole (11D) in the substrate (11). Terminal portions (11B, 11C) on the substrate (11) are then connected to the terminal portions (10B, 10C) on the sensor chip (10) by means of wires (W1, W2), after which air is sucked from the through-hole (11D) in order to apply negative pressure to the surface on which the pressure-sensitive element row (10D) is formed, and the characteristics of the sensor chip (10) are evaluated in this state on the basis of signals output from the terminal portions (11B, 11C) on the substrate (11).La présente invention concerne un procédé d'inspection d'un capteur d'onde d'impulsion de pression avec lequel il est possible de comprendre l'impact que des changements dans l'environnement d'utilisation ont sur la précision de détection d'onde d'impulsion de pression. Une puce de capteur (10) comprenant un substrat semi-conducteur (10A) dans lequel une rangée d'éléments sensibles à la pression (10D) est formée dans une partie de la puce de capteur (10) dont l'épaisseur a été réduite au moyen d'une partie évidée (10a), et des parties de borne (10B, 10C) qui sont électriquement connectées à la rangée d'éléments sensibles à la pression (10D) est fixé de manière adhésive à un substrat (11) de telle manière que la partie évidée (10a) communique avec l'atmosphère uniquement au m
