一种高硒大豆的培植方法
- 专利权人:
- 蒋新东
- 发明人:
- 蒋新东
- 申请号：
- CN201010189517.1
- 公开号：
- CN102265742A
- 申请日:
- 2010.06.02
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种高硒大豆的培植方法，采用窄行密植播种法，该方法包括按通常的大豆种植时间播种、间苗、施肥的培植程序进行，缩垄增行、窄行密植，改通常的60-70厘米宽行距为40-50厘米窄行密植。将大豆专用硒肥在栽前结合整地作基肥施用，使其土肥融合，使用量因地制宜；在大豆幼苗期及初花期施用少量大豆专用硒肥。施用量一般以每亩施大豆专用硒肥7.5-10Kg为宜。追肥时先在两行大豆之间挖深度为15-20厘米的施肥沟，然后施肥覆土。本发明培植的高硒大豆不仅提高了大豆的品质，而且其因累积了含硒化合物，能得到含硒量极高的大豆，并易于控制产品含硒水平，强化和拓宽了大豆的保健功效。该方法实施简单，易于推广。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
