一种高硒木耳的培育方法
- 专利权人:
- 苏州硒谷科技有限公司
- 发明人:
- 罗磊
- 申请号：
- CN201210290104.1
- 公开号：
- CN102763562A
- 申请日:
- 2012.08.15
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 许鸣石
- 摘要：
- 本发明提供了一种高硒木耳的培育方法，通过在栽培干料中混入占栽培干料总重量1～10%的富硒栽培料添加剂，按照普通栽培方法进行栽培获得比普通木耳硒含量高数百倍的高硒木耳；其中富硒栽培料添加剂含硒总量为500～1000mg/kg，且富硒栽培料添加剂中颗粒粒径在2.0～5.0mm范围内呈多粒径区域分布。本发明操作简单，实用性强。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
