A dosimetry system may comprise a film stack and a laser system for applying a laser beam to the film stack. The system may further comprise an interferometry system configured to acquire from the film stack a first interferometric dataset comprising a first composite signal and a subsequent interferometric dataset comprising a subsequent composite signal. The system may also include a processor for comparing the first and subsequent composite signals, wherein a difference between the first and subsequent composite signals indicates a change in the film stack thickness. A dosimetry method may comprise applying a laser beam to such a film stack, acquiring the first and subsequent interferometric datasets, comparing them to detect a change in the film stack thickness, and ceasing to apply the laser beam to the film stack if the change in the film stack thickness exceeds a predetermined threshold.L'invention concerne un système de dosimétrie pouvant comprendre un empilement de films et un système laser pour appliquer un faisceau laser à l'empilement de films. Le système peut en outre comprendre un système d'interférométrie conçu pour acquérir à partir de la pile de films un premier ensemble de données interférométriques comprenant un premier signal composite et un ensemble de données interférométriques ultérieur comprenant un signal composite ultérieur. Le système peut également comprendre un processeur pour comparer le premier signal composite et le signal composite ultérieur, une différence entre le premier signal composite et le signal composite ultérieur indiquant un changement dans l'épaisseur de l'empilement de films. Un procédé de dosimétrie peut comprendre l'application d'un faisceau laser à un tel empilement de films, l'acquisition du premier ensemble de données interférométriques et de l'ensemble de données interférométriques ultérieur, la comparaison de ceux-ci pour détecter un changement dans l'épaisseur de l'empilement de films, et l'arrêt de l'application
