A dosimetry system may comprise a film stack and a laser system for applying a laser beam to the film stack. The system may further comprise an interferometry system configured to acquire from the film stack a first interferometric dataset comprising a first composite signal and a subsequent interferometric dataset comprising a subsequent composite signal. The system may also include a processor for comparing the first and subsequent composite signals, wherein a difference between the first and subsequent composite signals indicates a change in the film stack thickness. A dosimetry method may comprise applying a laser beam to such a film stack, acquiring the first and subsequent interferometric datasets, comparing them to detect a change in the film stack thickness, and ceasing to apply the laser beam to the film stack if the change in the film stack thickness exceeds a predetermined threshold.L'invention concerne un système de dosimétrie qui peut comprendre un empilement de films et un système laser pour appliquer un faisceau laser à l'empilement de films. Le système peut en outre comprendre un système d'interférométrie configuré pour acquérir à partir de l'empilement de films un premier ensemble de données interférométriques comprenant un premier signal composite et un ensemble de données interférométrique suivant comprenant un signal composite suivant. Le système peut également comprendre un processeur pour comparer le premier signal composite et les signaux composites suivants, une différence entre le premier signal composite et les signaux composites suivants indiquant un changement dans l'épaisseur de l'empilement de films. Un procédé de dosimétrie peut comprendre l'application d'un faisceau laser à un tel empilement de films, l'acquisition d'un premier ensemble de données interférométriques et d'ensembles de données interférométriques suivants, leur comparaison pour détecter un changement dans l'épaisseur de l'empilement de films, et l'arrêt de l'application
