透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
- 专利权人:
- 富士電機株式会社
- 发明人:
- 金井 直之
- 申请号：
- JP20140549228
- 公开号：
- JPWO2014106938(A1)
- 申请日:
- 2013.12.25
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 優れたトランジスタ性能を有し、フレキシブルデバイスへの応用が可能であって、透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供する。この透明有機薄膜トランジスタは、透明支持基板１と、透明支持基板１上に形成された第一ゲート電極２と、第一ゲート電極２上に形成された第二ゲート電極３と、第二ゲート電極３上に形成された高分子ゲート絶縁層４と、高分子ゲート絶縁層４上に形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６上形成された有機半導体層７とを備えている。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
