Die Erfindung betrifft einen SiPM-Sensorchip, bei dem Pixel, bestehend aus Mikrozellen mit mindestens einer Photodiode, mindestens einem Quenchwiderstand und einem Stromteiler in einem Raster angeordnet sind, wobei die Positionen der Pixel über eine Linearkodierung bestimmt sind und ein Summiernetzwerk eingefügt ist, welches von den Ausgängen des Stromverteilers für die Richtungen x und y Spannungen abgreift, die über eine gemeinsame Leitung NS,v,mbzw. NS,h,neinem Operationsverstärker mit einem Ausgangskanal zugeführt werden.Mit dem erfindungsgemäßen Sensorchip kann insbesondere bei der PET das Interaktionstiefenproblem minimiert bzw. vollständig gelöst werden.The invention relates to a SiPM sensor chip in which pixels, consisting of microcells having at least one photodiode, at least one quench resistor and a current divider are arranged in a grid, wherein the positions of the pixels are determined by a linear coding and a summing network is inserted, which of the outputs of the current distributor for the directions x and y voltages taps, which are supplied via a common line NS, v, m and NS, h, n an operational amplifier with an output channel. With the sensor chip according to the invention, in particular in the case of PET, the interaction depth problem can be minimized or completely solved.
