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静電容量型トランスデューサ、及び被検体情報取得装置
专利权人:
CANON INC
发明人:
KATORI ATSUSHI,香取 篤史
申请号:
JP2013273657
公开号:
JP2015128270A
申请日:
2013.12.28
申请国别(地区):
JP
年份:
2015
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic capacity type transducer or the like which can suppress a projection of a wiring connection region from a chip surface to a subject side.SOLUTION: An electrostatic capacity type transducer has a cell which is on substrate 100 and includes a first electrode 102 and a timbal 101 including a second electrode 103 formed with a gap 105 from the first electrode. A connection electrode 110 for connecting either one of the first electrode or the second electrode to a wiring board 120 is on a substrate. The height of a substrate surface of a region 202 where the connection electrode is placed is lower than the height of a substrate surface of a region 201 where the cell is placed.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】チップ表面から被検体側への配線接続領域の飛び出しを抑えることができる静電容量型トランスデューサなどを提供する。【解決手段】静電容量型トランスデューサは、基板100上に第1の電極102と、第1の電極と間隙105を隔てて形成された第2の電極103を含む振動膜101と、を備えたセルを有する。第1の電極及び第2の電極のうちいずれか一方の電極と、配線基板120と、を接続するための接続用電極110を基板上に有し、接続用電極が配置された領域202の基板の面の高さが、セルが配置された領域201の基板の面の高さより、低い。【選択図】図1-1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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