The invention concerns an X-ray imaging sensor and an X-ray imaging method in which, in a scintillator element (11, 21) or in an element having a corresponding functionality, x-ray quanta are converted into photons having a wavelength substantially greater than the wavelength range of the X-ray quanta. The information detected in the scintillator element (11, 12) is converted to pixel-specific electric signals in a semiconductor element (13, 23), which includes photodiodes (15, 25, 35) or corresponding means that are arranged to divide at least part of the area of the sensor to pixels (14, 24, 34). Arranged in functional connection with the pixel-specific photodiodes (25, 35) or corresponding means, there has been arranged means comprising an I/F (current to frequency) converter (26, 36) or a corresponding component for quantizing the electric signals by converting them to pixel-specific frequencies, i.e. pulse trains.Linvention concerne un capteur dimagerie en rayons X et une méthode dimagerie en rayons X dans lesquels, dans un élément scintillateur (11, 21) ou dans un élément possédant des fonctionnalités similaires, les quanta de rayons X sont convertis en photons possédant une longueur donde essentiellement supérieure à la plage de longueurs donde des quanta de rayons X. Linformation détectée dans lélément scintillateur (11, 12) est convertie en signaux électriques spécifiques de pixels dans un élément semiconducteur (13, 23), qui inclut des photodiodes (15, 25, 35) ou des moyens équivalents qui sont disposés de façon à diviser au moins une partie de la zone du capteur en pixels (14, 24, 34). Disposés selon une connexion fonctionnelle en relation avec les photodiodes spécifiques de pixels (25, 35) ou les moyens équivalents, des moyens ont été disposés comprenant un convertisseur I/F (courant-fréquence) (26, 36) ou un composant correspondant pour quantifier les signaux électriques en les convertissant en fréquences spécifiques de pixels, cest-à-dire en trains dim
