Vorrichtung, umfassend:ein Halbleitergrundmaterial (88), das eine Lichtausleuchtungsseite (92) aufweist und zu dem gehören:eine Minoritätsladungsträgerdiffusionslängengröße, die dazu eingerichtet ist, im Wesentlichen zu einem vorbestimmten Lochdiffusionslängenwert zu passen； undeine Dicke, die dazu eingerichtet ist, im Wesentlichen zu einer vorbestimmten Photodiodenschichtdicke einer Photodiodenschicht (78) zu passen；eine Totschicht (86), die mit der Lichtausleuchtungsseite (92) des Halbleitergrundmaterials (88) verbunden ist, wobei die Totschicht (86) eine Dicke aufweist, die dazu eingerichtet ist, im Wesentlichen zu einem vorbestimmten Dickewert zu passen； undwobei ein von der Minoritätsladungsträgerdiffusionslängengröße des Halbleitergrundmaterials (88) abhängiger Absolutbetrag eines thermischen Verstärkungsgradkoeffizienten dazu eingerichtet ist, im Wesentlichen zu einem von der Dicke der Totschicht (86) abhängigen Absolutbetrag eines thermischen Verstärkungsgradkoeffizienten zu passen.An apparatus comprising: a semiconductor base material (88) having a light illumination side (92) and including: a minority carrier diffusion length size configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value； and a thickness configured to substantially conform to a predetermined photodiode film thickness of a photodiode layer (78)； a dead layer (86) connected to the light illumination side (92) of the semiconductor base material (88), the dead layer (86) having a thickness configured to substantially conform to a predetermined thickness value； and wherein an absolute amount of a thermal gain coefficient dependent on the minority carrier diffusion length size of the semiconductor base material (88) is arranged to substantially match an absolute value of a thermal gain coefficient dependent on the thickness of the dead layer (86).
