エネルギービームのライン制御装置および方法

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专利权人:

イオン・ビーム・アプリケーションズ・エス・アー

发明人:

ジャン-マルク・フォントボンヌ,ジェローム・ペロンネル,ブリュノ・マルシャン,カテリーナ・ブルサスコ

申请号：

JP2012531435

公开号：

JP2013506823A

申请日:

2010.09.30

申请国别(地区):

JP

年份:

2013

代理人:

摘要：

Areas of control of the beam line, in particular, the invention relates to an apparatus comprising a plurality of ionization chamber to enable measurement of the dose deposited by the magnetic field of the beam and ionized beam. Ionization chamber of one, is formed from the support film of 100nm thickness less than at least.本発明は、ビームのライン制御の分野、特に、イオン化ビームおよび前記ビームの磁場によって堆積する線量の測定を可能にする複数の電離箱を備える装置に関する。少なくとも1つの電離箱が、厚さが100nm以下の支持フィルムから形成される。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/