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飛動生物除去装置とその捕捉電極及び捕捉電極部材とその製造方法
专利权人:
PANASONIC CORPORATION
发明人:
納村 和美,山口 典生
申请号:
JPJP2013/007455
公开号:
WO2014/103254A1
申请日:
2013.12.19
申请国别(地区):
WO
年份:
2014
代理人:
摘要:
In electric dust collectors and flying organism removal devices, conductive base materials on which high voltages are applied are covered by an insulating resin to prevent arc discharge. But there was the problem that in long term use, a charge accumulated on the electrode surface, reducing dust-collecting abilities or trapping abilities. Moreover, because the conductive electrode was configured from a metal, there were the problems of increased weight for large articles and of the enormous labor necessary when installing or transporting same.Covering at least one of the conductive base materials with a semiconductive layer with a surface resistivity of 108 - 1011 Ω/□ and a volume resistivity of 108 - 1011 Ω/cm provides an electrode that does not undergo arc discharge, does not accumulate charge on the electrode surface, and for which trapping performance does not decrease with long-term use. Using metal plating, etc. on the surface of a resin molding, etc. as the structure of the conductive base material makes weight reduction possible while maintaining power-feeding properties that are equivalent to metal.Selon linvention, dans des collecteurs de poussière électriques et des dispositifs de retrait dorganisme volant, des matériaux de base conducteurs sur lesquels des tensions élevées sont appliquées sont recouverts par une résine isolante pour éviter une décharge darc. Mais il existait le problème quen cas dutilisation prolongée, une charge soit accumulée sur la surface délectrode, ce qui réduit les capacités de collecte de poussière ou les capacités de piégeage. De plus, étant donné que lélectrode conductrice était configurée à partir dun métal, il existait les problèmes de poids augmenté pour de grosses pièces et le travail énorme nécessaire lors de linstallation du transport de celles-ci. Le recouvrement dau moins lun des matériaux de base conducteurs avec une couche semi-conductrice ayant une résistive de surface de 108 à 1011 Ω/□ et une résistivité volumique d
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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