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一种AlN晶体的制备方法
- 专利权人:
- 哈尔滨工业大学
- 发明人:
- 韩杰才,宋波,赵超亮,张幸红,张化宇,张宇民
- 申请号：
- CN201210093222.3
- 公开号：
- CN102618930B
- 申请日:
- 2012.03.31
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 韩末洙
- 摘要：
- 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离
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面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
